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IPP082N10NF2SAKMA1

IPP082N10NF2SAKMA1

IPP082N10NF2SAKMA1

TRENCH >=100V

não conforme

IPP082N10NF2SAKMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.97000 $1.97
500 $1.9503 $975.15
1000 $1.9306 $1930.6
1500 $1.9109 $2866.35
2000 $1.8912 $3782.4
2500 $1.8715 $4678.75
556 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15A (Ta), 77A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.8V @ 46µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2000 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 100W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

BUK9M5R2-30EX
BUK9M5R2-30EX
$0 $/pedaço
IPB017N10N5ATMA1
VN1206L-G
VN1206L-G
$0 $/pedaço
PMPB47XP,115
PMPB47XP,115
$0 $/pedaço
IPD25DP06NMATMA1
IXFN60N80P
IXFN60N80P
$0 $/pedaço
SQSA80ENW-T1_GE3
NTMT190N65S3HF
NTMT190N65S3HF
$0 $/pedaço
IXTH340N04T4
IXTH340N04T4
$0 $/pedaço

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