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IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

SOT-23

não conforme

IPB017N10N5ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $3.68553 -
2,000 $3.50125 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.8V @ 279µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 210 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 15600 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

VN1206L-G
VN1206L-G
$0 $/pedaço
PMPB47XP,115
PMPB47XP,115
$0 $/pedaço
IPD25DP06NMATMA1
IXFN60N80P
IXFN60N80P
$0 $/pedaço
SQSA80ENW-T1_GE3
NTMT190N65S3HF
NTMT190N65S3HF
$0 $/pedaço
IXTH340N04T4
IXTH340N04T4
$0 $/pedaço
IXTA08N50D2
IXTA08N50D2
$0 $/pedaço
SIDR402DP-T1-RE3
IRF300P227

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