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IPD90P04P4L04ATMA1

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IPD90P04P4L04ATMA1

MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

não conforme

IPD90P04P4L04ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.76276 -
5,000 $0.72462 -
12,500 $0.69738 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 90A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 176 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 11570 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3-313
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

FQA19N60
IXFN48N60P
IXFN48N60P
$0 $/pedaço
SI2323DS-T1-BE3
SQJ416EP-T1_BE3
FQD1N60CTM
FQD1N60CTM
$0 $/pedaço
SIHD7N60ET4-GE3
IXTA05N100-TRL
IXTA05N100-TRL
$0 $/pedaço
NTMFS6B03NT1G
NTMFS6B03NT1G
$0 $/pedaço

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