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FQA19N60

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MOSFET N-CH 600V 18.5A TO3PN

não conforme

FQA19N60 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.22000 $4.22
10 $3.76400 $37.64
6271 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 380mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-3PN
pacote / caixa TO-3P-3, SC-65-3
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Número da peça relacionada

IXFN48N60P
IXFN48N60P
$0 $/pedaço
SI2323DS-T1-BE3
SQJ416EP-T1_BE3
FQD1N60CTM
FQD1N60CTM
$0 $/pedaço
SIHD7N60ET4-GE3
IXTA05N100-TRL
IXTA05N100-TRL
$0 $/pedaço
NTMFS6B03NT1G
NTMFS6B03NT1G
$0 $/pedaço
STP19NM50N
STP19NM50N
$0 $/pedaço

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