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SQJ416EP-T1_BE3

SQJ416EP-T1_BE3

SQJ416EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

não conforme

SQJ416EP-T1_BE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.03000 $1.03
500 $1.0197 $509.85
1000 $1.0094 $1009.4
1500 $0.9991 $1498.65
2000 $0.9888 $1977.6
2500 $0.9785 $2446.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 27A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 30mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

FQD1N60CTM
FQD1N60CTM
$0 $/pedaço
SIHD7N60ET4-GE3
IXTA05N100-TRL
IXTA05N100-TRL
$0 $/pedaço
NTMFS6B03NT1G
NTMFS6B03NT1G
$0 $/pedaço
STP19NM50N
STP19NM50N
$0 $/pedaço
BUK662R7-55C,118
BUK662R7-55C,118
$0 $/pedaço
ZXMP6A17E6TA

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