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BUK662R7-55C,118

BUK662R7-55C,118

BUK662R7-55C,118

NXP USA Inc.

PFET, 120A I(D), 55V, 0.0044OHM,

compliant

BUK662R7-55C,118 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.31254 $1050.032
1,600 $1.20454 -
2,400 $1.12147 -
5,600 $1.07994 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 258 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 15300 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 306W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

ZXMP6A17E6TA
STFI6N80K5
STFI6N80K5
$0 $/pedaço
SCT2080KEGC11
IPP60R160P6XKSA1
SI4848ADY-T1-GE3
STI24NM60N
STI24NM60N
$0 $/pedaço
IXFT100N30X3HV
IXFT100N30X3HV
$0 $/pedaço

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