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IPD60R210CFD7ATMA1

IPD60R210CFD7ATMA1

IPD60R210CFD7ATMA1

MOSFET N CH

não conforme

IPD60R210CFD7ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $1.19840 -
4996 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 210mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 240µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1015 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 64W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DPAK (TO-252)
pacote / caixa TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

IRF9530STRRPBF
IRF9530STRRPBF
$0 $/pedaço
NDB603AL
IPP60R099P6XKSA1
APT12080LVRG
2N7002TQ-7-F
STW21N150K5
STW21N150K5
$0 $/pedaço
FDMS86202ET120
FDMS86202ET120
$0 $/pedaço
FDB035AN06A0
FDB035AN06A0
$0 $/pedaço

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