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IPP60R099P6XKSA1

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IPP60R099P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3

não conforme

IPP60R099P6XKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.32000 $6.32
10 $5.68300 $56.83
100 $4.72620 $472.62
500 $3.89694 $1948.47
1,000 $3.34409 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 37.9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 99mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 1.21mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3330 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 278W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

APT12080LVRG
2N7002TQ-7-F
STW21N150K5
STW21N150K5
$0 $/pedaço
FDMS86202ET120
FDMS86202ET120
$0 $/pedaço
FDB035AN06A0
FDB035AN06A0
$0 $/pedaço
FDD7N25LZTM
FDD7N25LZTM
$0 $/pedaço
FQD4N25TM
AUIRF7665S2TR

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