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FDMS86202ET120

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FDMS86202ET120

onsemi

MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56

não conforme

FDMS86202ET120 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $2.17548 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 120 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 13.5A (Ta), 102A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4585 pF @ 60 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.3W (Ta), 187W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-PQFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

FDB035AN06A0
FDB035AN06A0
$0 $/pedaço
FDD7N25LZTM
FDD7N25LZTM
$0 $/pedaço
FQD4N25TM
AUIRF7665S2TR
RXL035N03TCR
RXL035N03TCR
$0 $/pedaço
CSD17382F4T
CSD17382F4T
$0 $/pedaço
IRF9530PBF
IRF9530PBF
$0 $/pedaço
2N7002BKW,115
2N7002BKW,115
$0 $/pedaço
NTP75N03RG
NTP75N03RG
$0 $/pedaço

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