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BSZ100N06LS3GATMA1

BSZ100N06LS3GATMA1

BSZ100N06LS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON

compliant

BSZ100N06LS3GATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.40247 -
10,000 $0.38734 -
25,000 $0.38514 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Ta), 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 10mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 23µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3500 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.1W (Ta), 50W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TSDSON-8
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

NTP75N03RG
NTP75N03RG
$0 $/pedaço
APT6030BVRG
IXFT20N100P
IXFT20N100P
$0 $/pedaço
IXTH16P60P
IXTH16P60P
$0 $/pedaço
IRFSL7730PBF
IPA60R120P7XKSA1
IRFR9220TRLPBF
IRFR9220TRLPBF
$0 $/pedaço
STP9NK50Z
STP9NK50Z
$0 $/pedaço
DMN3009SK3-13

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