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IPD50R650CEBTMA1

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MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3

não conforme

IPD50R650CEBTMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.46666 -
5,000 $0.44612 -
12,500 $0.43144 -
25,000 $0.41971 -
62,500 $0.40796 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.1A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 13V
rds em (máx.) @ id, vgs 650mOhm @ 1.8A, 13V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 150µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 342 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 47W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

PHB101NQ04T,118
PHB101NQ04T,118
$0 $/pedaço
AUIRFS4610
RSS075P03TB1
RSS075P03TB1
$0 $/pedaço
SI7403BDN-T1-E3
NVMFS5834NLT3G
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$0 $/pedaço
FDC642P-F085
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$0 $/pedaço
FQB13N10TM
FQB13N10TM
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IRF6629TRPBF
IRF3709L
IRF3709L
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IRF3709SPBF

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