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IPD050N10N5ATMA1

IPD050N10N5ATMA1

IPD050N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

SOT-23

não conforme

IPD050N10N5ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $1.09281 -
13728 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.8V @ 84µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4700 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

DMN67D8L-7
DMN67D8L-7
$0 $/pedaço
STB14N80K5
STB14N80K5
$0 $/pedaço
DMN1004UFV-13
IRF6714MTRPBF
FDP023N08B-F102
FDP023N08B-F102
$0 $/pedaço
FDD6770A
BUK9M6R0-40HX
BUK9M6R0-40HX
$0 $/pedaço
IPW50R280CE

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