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STB14N80K5

STB14N80K5

STB14N80K5

MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK

não conforme

STB14N80K5 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $2.17634 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 445mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 100µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 620 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 130W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

DMN1004UFV-13
IRF6714MTRPBF
FDP023N08B-F102
FDP023N08B-F102
$0 $/pedaço
FDD6770A
BUK9M6R0-40HX
BUK9M6R0-40HX
$0 $/pedaço
IPW50R280CE
RM6N800TI
RM6N800TI
$0 $/pedaço
DMP10H088SPS-13

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