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IPD50N06S2L13ATMA2

IPD50N06S2L13ATMA2

IPD50N06S2L13ATMA2

MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31

SOT-23

não conforme

IPD50N06S2L13ATMA2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.56256 -
499 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12.7mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 80µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 136W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3-11
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IPW50R280CE
RM6N800TI
RM6N800TI
$0 $/pedaço
DMP10H088SPS-13
SIHF9620S-GE3
SIHF9620S-GE3
$0 $/pedaço
IXTP10N60P
IXTP10N60P
$0 $/pedaço
FCH072N60
FCH072N60
$0 $/pedaço
AUIRF3710ZSTRL
IXFH60N65X2
IXFH60N65X2
$0 $/pedaço

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