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IXTP10N60P

IXTP10N60P

IXTP10N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

não conforme

IXTP10N60P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
50 $2.40000 $120
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 740mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1610 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 200W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

FCH072N60
FCH072N60
$0 $/pedaço
AUIRF3710ZSTRL
IXFH60N65X2
IXFH60N65X2
$0 $/pedaço
STB25NF06LAG
STB25NF06LAG
$0 $/pedaço
FCA36N60NF
FCA36N60NF
$0 $/pedaço
P3M06300T3
FDMC3612-L701
FDMC3612-L701
$0 $/pedaço
FDMC86340
FDMC86340
$0 $/pedaço
BUK9275-100A,118
IPB60R199CPATMA1

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