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IPB60R145CFD7ATMA1

IPB60R145CFD7ATMA1

IPB60R145CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2

compliant

IPB60R145CFD7ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.08540 $3.0854
500 $3.054546 $1527.273
1000 $3.023692 $3023.692
1500 $2.992838 $4489.257
2000 $2.961984 $5923.968
2500 $2.93113 $7327.825
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 145mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 340µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1330 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SQJA46EP-T2_GE3
IXTP110N055T2
IXTP110N055T2
$0 $/pedaço
IXTY01N100D-TRL
IXTY01N100D-TRL
$0 $/pedaço
IPA029N06NXKSA1
STU80N4F6
STU80N4F6
$0 $/pedaço
IPI65R280C6XKSA1
IXTX6N200P3HV
IXTX6N200P3HV
$0 $/pedaço
NVMFS5C673NWFT1G
NVMFS5C673NWFT1G
$0 $/pedaço
FDS4770
FDS4770
$0 $/pedaço
SIR158DP-T1-GE3

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