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SQJA46EP-T2_GE3

SQJA46EP-T2_GE3

SQJA46EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

não conforme

SQJA46EP-T2_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.63162 $0.63162
500 $0.6253038 $312.6519
1000 $0.6189876 $618.9876
1500 $0.6126714 $919.0071
2000 $0.6063552 $1212.7104
2500 $0.600039 $1500.0975
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IXTP110N055T2
IXTP110N055T2
$0 $/pedaço
IXTY01N100D-TRL
IXTY01N100D-TRL
$0 $/pedaço
IPA029N06NXKSA1
STU80N4F6
STU80N4F6
$0 $/pedaço
IPI65R280C6XKSA1
IXTX6N200P3HV
IXTX6N200P3HV
$0 $/pedaço
NVMFS5C673NWFT1G
NVMFS5C673NWFT1G
$0 $/pedaço
FDS4770
FDS4770
$0 $/pedaço
SIR158DP-T1-GE3
SIR624DP-T1-GE3

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