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SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

compliant

SIR158DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.96685 -
6,000 $0.93330 -
2876 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4980 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5.4W (Ta), 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SIR624DP-T1-GE3
FQI8N60CTU
IXTQ96N25T
IXTQ96N25T
$0 $/pedaço
STP42N65M5
STP42N65M5
$0 $/pedaço
2SK937Y5
2SK937Y5
$0 $/pedaço
NTBGS3D5N06C
NTBGS3D5N06C
$0 $/pedaço
IXTH13N80
IXTH13N80
$0 $/pedaço
STP24NF10
STP24NF10
$0 $/pedaço

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