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IPB180N03S4L01ATMA1

IPB180N03S4L01ATMA1

IPB180N03S4L01ATMA1

MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

não conforme

IPB180N03S4L01ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.37090 -
30438 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.05mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 140µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 239 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 17600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 188W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7-3
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

RQ3E180AJTB
RQ3E180AJTB
$0 $/pedaço
BS107P
BS107P
$0 $/pedaço
IPP015N04NGXKSA1
SIR466DP-T1-GE3
SI7772DP-T1-GE3
NTMFS4939NT1G
NTMFS4939NT1G
$0 $/pedaço
BUK7610-55AL,118
CSD25402Q3A
CSD25402Q3A
$0 $/pedaço
STU6N90K5
STU6N90K5
$0 $/pedaço
BSS159NL6906

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