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RQ3E180AJTB

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MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT

não conforme

RQ3E180AJTB Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.40530 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Ta), 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 11mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 39 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4290 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 30W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-HSMT (3.2x3)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

BS107P
BS107P
$0 $/pedaço
IPP015N04NGXKSA1
SIR466DP-T1-GE3
SI7772DP-T1-GE3
NTMFS4939NT1G
NTMFS4939NT1G
$0 $/pedaço
BUK7610-55AL,118
CSD25402Q3A
CSD25402Q3A
$0 $/pedaço
STU6N90K5
STU6N90K5
$0 $/pedaço
BSS159NL6906
NVTR4502PT1G
NVTR4502PT1G
$0 $/pedaço

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