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IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

compliant

IPB065N15N3GATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $3.71889 -
2,000 $3.58115 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 130A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 8V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 270µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 93 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7300 pF @ 75 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

SI3483DDV-T1-GE3
DMN2053U-7
DMN2053U-7
$0 $/pedaço
SIA108DJ-T1-GE3
IXFH18N65X2
IXFH18N65X2
$0 $/pedaço
ECH8410-TL-H
ECH8410-TL-H
$0 $/pedaço
PSMN015-60BS,118
IXTN17N120L
IXTN17N120L
$0 $/pedaço
SISA16DN-T1-GE3
IPI50R199CPXKSA1
IRF7495TRPBF

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