Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

compliant

SISA16DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.23646 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 6.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (máx.) -
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2060 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

IPI50R199CPXKSA1
IRF7495TRPBF
STH12N120K5-2
IXTQ450P2
IXTQ450P2
$0 $/pedaço
C3M0120065D
C3M0120065D
$0 $/pedaço
RCX120N20
RCX120N20
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.