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IXFH18N65X2

IXFH18N65X2

IXFH18N65X2

IXYS

MOSFET N-CH 650V 18A TO247

não conforme

IXFH18N65X2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.98370 $4.9837
500 $4.933863 $2466.9315
1000 $4.884026 $4884.026
1500 $4.834189 $7251.2835
2000 $4.784352 $9568.704
2500 $4.734515 $11836.2875
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 200mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 1.5mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1520 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 290W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 (IXTH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

ECH8410-TL-H
ECH8410-TL-H
$0 $/pedaço
PSMN015-60BS,118
IXTN17N120L
IXTN17N120L
$0 $/pedaço
SISA16DN-T1-GE3
IPI50R199CPXKSA1
IRF7495TRPBF
STH12N120K5-2
IXTQ450P2
IXTQ450P2
$0 $/pedaço

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