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IPA60R190C6XKSA1

IPA60R190C6XKSA1

IPA60R190C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP

não conforme

IPA60R190C6XKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.45000 $3.45
10 $3.10500 $31.05
100 $2.58170 $258.17
500 $2.12870 $1064.35
1,000 $1.82671 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 630µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 63 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1400 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 34W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-FP
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

2N7002,235
2N7002,235
$0 $/pedaço
PSMN2R0-25MLDX
IXTQ50N25T
IXTQ50N25T
$0 $/pedaço
DN3765K4-G
DN3765K4-G
$0 $/pedaço
NVH4L020N090SC1
NVH4L020N090SC1
$0 $/pedaço
IRF2907ZPBF
VN0106N3-G-P003
RQ5E050ATTCL
RQ5E050ATTCL
$0 $/pedaço
SI4483ADY-T1-GE3
IXTA08N100P
IXTA08N100P
$0 $/pedaço

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