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VN0106N3-G-P003

VN0106N3-G-P003

VN0106N3-G-P003

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

SOT-23

não conforme

VN0106N3-G-P003 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $0.53560 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 350mA (Tj)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 65 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-92-3
pacote / caixa TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
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Número da peça relacionada

RQ5E050ATTCL
RQ5E050ATTCL
$0 $/pedaço
SI4483ADY-T1-GE3
IXTA08N100P
IXTA08N100P
$0 $/pedaço
STB18N60M6
STB18N60M6
$0 $/pedaço
FQI27N25TU
STW19NM50N
STW19NM50N
$0 $/pedaço
IXTQ36N30P
IXTQ36N30P
$0 $/pedaço
APT1201R6SVFRG
DMP3026SFDE-13
LND01K1-G
LND01K1-G
$0 $/pedaço

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