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LND01K1-G

LND01K1-G

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MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

SOT-23

não conforme

LND01K1-G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.33166 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 9 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 330mA (Tj)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 0V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.4Ohm @ 100mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) +0.6V, -12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 46 pF @ 5 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 360mW (Ta)
temperatura de operação -25°C ~ 125°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-5
pacote / caixa SC-74A, SOT-753
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Número da peça relacionada

FQD2N80TM
FQD2N80TM
$0 $/pedaço
NTD4959NHT4G
NTD4959NHT4G
$0 $/pedaço
DMN3028LQ-7
DMN3028LQ-7
$0 $/pedaço
DMPH6250S-13
IRFW630BTM-FP001
IRFW630BTM-FP001
$0 $/pedaço
TN0610N3-G
TN0610N3-G
$0 $/pedaço
IRFR1010ZTRPBF
STL8N6LF6AG
STL8N6LF6AG
$0 $/pedaço
DMT67M8LSS-13
SI2319CDS-T1-BE3

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