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SI2319CDS-T1-BE3

SI2319CDS-T1-BE3

SI2319CDS-T1-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23

não conforme

SI2319CDS-T1-BE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.60000 $0.6
500 $0.594 $297
1000 $0.588 $588
1500 $0.582 $873
2000 $0.576 $1152
2500 $0.57 $1425
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 77mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 595 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

FQP16N25C
IRFU120NPBF
RTL020P02TR
RTL020P02TR
$0 $/pedaço
BSS127S-7
BSS127S-7
$0 $/pedaço
NTK3043NT5G
NTK3043NT5G
$0 $/pedaço
BUK758R3-40E,127
NVMFD6H852NLT1G
NVMFD6H852NLT1G
$0 $/pedaço
FDP5690
FDP5690
$0 $/pedaço
STK22N6F3
STK22N6F3
$0 $/pedaço

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