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NVMFD6H852NLT1G

NVMFD6H852NLT1G

NVMFD6H852NLT1G

onsemi

MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL

SOT-23

não conforme

NVMFD6H852NLT1G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.23000 $1.23
500 $1.2177 $608.85
1000 $1.2054 $1205.4
1500 $1.1931 $1789.65
2000 $1.1808 $2361.6
2500 $1.1685 $2921.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Ta), 25A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 26µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 521 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.2W (Ta), 38W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

FDP5690
FDP5690
$0 $/pedaço
STK22N6F3
STK22N6F3
$0 $/pedaço
IXTL2N450
IXTL2N450
$0 $/pedaço
2N7002LT7G
2N7002LT7G
$0 $/pedaço
SI8800EDB-T2-E1
2N7002,215
2N7002,215
$0 $/pedaço
IXFH30N60P
IXFH30N60P
$0 $/pedaço
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