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DN3765K4-G

DN3765K4-G

DN3765K4-G

MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3

SOT-23

não conforme

DN3765K4-G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $2.27733 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 300mA (Tj)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 0V
rds em (máx.) @ id, vgs 8Ohm @ 150mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 825 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

NVH4L020N090SC1
NVH4L020N090SC1
$0 $/pedaço
IRF2907ZPBF
VN0106N3-G-P003
RQ5E050ATTCL
RQ5E050ATTCL
$0 $/pedaço
SI4483ADY-T1-GE3
IXTA08N100P
IXTA08N100P
$0 $/pedaço
STB18N60M6
STB18N60M6
$0 $/pedaço
FQI27N25TU
STW19NM50N
STW19NM50N
$0 $/pedaço
IXTQ36N30P
IXTQ36N30P
$0 $/pedaço

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