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BSZ013NE2LS5IATMA1

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BSZ013NE2LS5IATMA1

MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON

não conforme

BSZ013NE2LS5IATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.76548 -
19890 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32A (Ta), 40A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3400 pF @ 12 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TSDSON-8-FL
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

DMP610DLQ-7
DMP610DLQ-7
$0 $/pedaço
FQB9N25CTM
SQJQ186ER-T1_GE3
IXTH300N04T2
IXTH300N04T2
$0 $/pedaço
SIDR510EP-T1-RE3
IXTP26P10T
IXTP26P10T
$0 $/pedaço
FDS4080N3
BSH201,215
BSH201,215
$0 $/pedaço
STWA48N60M2
STWA48N60M2
$0 $/pedaço
SQP100P06-9M3L_GE3

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