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FQB9N25CTM

FQB9N25CTM

FQB9N25CTM

MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK

não conforme

FQB9N25CTM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.61000 $0.61
500 $0.6039 $301.95
1000 $0.5978 $597.8
1500 $0.5917 $887.55
2000 $0.5856 $1171.2
2500 $0.5795 $1448.75
3222 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 250 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 430mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 710 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.13W (Ta), 74W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SQJQ186ER-T1_GE3
IXTH300N04T2
IXTH300N04T2
$0 $/pedaço
SIDR510EP-T1-RE3
IXTP26P10T
IXTP26P10T
$0 $/pedaço
FDS4080N3
BSH201,215
BSH201,215
$0 $/pedaço
STWA48N60M2
STWA48N60M2
$0 $/pedaço
SQP100P06-9M3L_GE3
IRL630STRLPBF
IRL630STRLPBF
$0 $/pedaço
NTD4N60
NTD4N60
$0 $/pedaço

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