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SIDR510EP-T1-RE3

SIDR510EP-T1-RE3

SIDR510EP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE

compliant

SIDR510EP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.20000 $3.2
500 $3.168 $1584
1000 $3.136 $3136
1500 $3.104 $4656
2000 $3.072 $6144
2500 $3.04 $7600
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 33A (Ta), 148A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 81 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4980 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8DC
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IXTP26P10T
IXTP26P10T
$0 $/pedaço
FDS4080N3
BSH201,215
BSH201,215
$0 $/pedaço
STWA48N60M2
STWA48N60M2
$0 $/pedaço
SQP100P06-9M3L_GE3
IRL630STRLPBF
IRL630STRLPBF
$0 $/pedaço
NTD4N60
NTD4N60
$0 $/pedaço
STWA67N60M6
STWA67N60M6
$0 $/pedaço
STF18N60M6
STF18N60M6
$0 $/pedaço

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