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IAUC100N04S6N028ATMA1

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não conforme

IAUC100N04S6N028ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.12000 $1.12
500 $1.1088 $554.4
1000 $1.0976 $1097.6
1500 $1.0864 $1629.6
2000 $1.0752 $2150.4
2500 $1.064 $2660
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.86mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 24µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1781 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 62W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

CSD17571Q2
CSD17571Q2
$0 $/pedaço
BUK7Y7R0-40HX
BUK7Y7R0-40HX
$0 $/pedaço
HUF76139P3
IPS65R950C6AKMA1
IRFR9120TRLPBF
IRFR9120TRLPBF
$0 $/pedaço
NVMFS5C430NAFT3G
NVMFS5C430NAFT3G
$0 $/pedaço
FCH25N60N
FCH25N60N
$0 $/pedaço
DMN2991UT-13

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