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G35N02K

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N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<18

G35N02K Ficha de dados

compliant

G35N02K Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.50000 $0.5
500 $0.495 $247.5
1000 $0.49 $490
1500 $0.485 $727.5
2000 $0.48 $960
2500 $0.475 $1187.5
2380 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 13mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1380 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 40W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IRFS7762TRLPBF
NTB6412ANG
NTB6412ANG
$0 $/pedaço
PMN230ENEAX
PMN230ENEAX
$0 $/pedaço
FQPF3N90
IXTP36N30P
IXTP36N30P
$0 $/pedaço
IXTH16N20D2
IXTH16N20D2
$0 $/pedaço
IRFS9N60APBF
IRFS9N60APBF
$0 $/pedaço
NTE2933
NTE2933
$0 $/pedaço
NTMTS0D7N04CLTXG
NTMTS0D7N04CLTXG
$0 $/pedaço

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