Welcome to ichome.com!

logo
Lar

ZXMN10A08E6QTA

ZXMN10A08E6QTA

ZXMN10A08E6QTA

MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R

não conforme

ZXMN10A08E6QTA Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.39173 $0.39173
500 $0.3878127 $193.90635
1000 $0.3838954 $383.8954
1500 $0.3799781 $569.96715
2000 $0.3760608 $752.1216
2500 $0.3721435 $930.35875
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 250mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.7 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 405 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.1W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-26
pacote / caixa SOT-23-6
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

PMCM650VNEZ
PMCM650VNEZ
$0 $/pedaço
FQPF2N60C
FQPF2N60C
$0 $/pedaço
IRLHS6342TRPBF
SQA405CEJW-T1_GE3
SQJ456EP-T1_GE3
DMP31D7LT-13
STI14NM50N
STI14NM50N
$0 $/pedaço
SIHFU310-GE3
SIHFU310-GE3
$0 $/pedaço
SISS61DN-T1-GE3

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.