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SISS61DN-T1-GE3

SISS61DN-T1-GE3

SISS61DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK

não conforme

SISS61DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.04000 $1.04
500 $1.0296 $514.8
1000 $1.0192 $1019.2
1500 $1.0088 $1513.2
2000 $0.9984 $1996.8
2500 $0.988 $2470
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 900mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 231 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8740 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 65.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
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Número da peça relacionada

STB270N4F3
STB270N4F3
$0 $/pedaço
ISL9N306AS3ST
FDD9409L-F085
FDD9409L-F085
$0 $/pedaço
SUD09P10-195-BE3
IPU60R2K0C6AKMA1
BUK7520-100A,127
BUK7520-100A,127
$0 $/pedaço
NVMFS024N06CT1G
NVMFS024N06CT1G
$0 $/pedaço
STF9N65M2
STF9N65M2
$0 $/pedaço
R6509END3TL1
R6509END3TL1
$0 $/pedaço

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