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SQJ456EP-T1_GE3

SQJ456EP-T1_GE3

SQJ456EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

não conforme

SQJ456EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $2.65710 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 26mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 63 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3342 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

DMP31D7LT-13
STI14NM50N
STI14NM50N
$0 $/pedaço
SIHFU310-GE3
SIHFU310-GE3
$0 $/pedaço
SISS61DN-T1-GE3
STB270N4F3
STB270N4F3
$0 $/pedaço
ISL9N306AS3ST
FDD9409L-F085
FDD9409L-F085
$0 $/pedaço
SUD09P10-195-BE3
IPU60R2K0C6AKMA1
BUK7520-100A,127
BUK7520-100A,127
$0 $/pedaço

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