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DMT15H017SK3-13

DMT15H017SK3-13

DMT15H017SK3-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&

não conforme

DMT15H017SK3-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.80490 $0.8049
500 $0.796851 $398.4255
1000 $0.788802 $788.802
1500 $0.780753 $1171.1295
2000 $0.772704 $1545.408
2500 $0.764655 $1911.6375
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 68A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 8V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 18.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2344 pF @ 75 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.7W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IXTA70N075T2
IXTA70N075T2
$0 $/pedaço
BSS123W-7-F
BSS123W-7-F
$0 $/pedaço
STB10LN80K5
STB10LN80K5
$0 $/pedaço
SIHA25N50E-E3
SIHA25N50E-E3
$0 $/pedaço
IPB80N03S4L03
DMP6023LEQ-13
SI2309CDS-T1-GE3

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