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DMNH6021SPSWQ-13

DMNH6021SPSWQ-13

DMNH6021SPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

não conforme

DMNH6021SPSWQ-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.38519 $0.38519
500 $0.3813381 $190.66905
1000 $0.3774862 $377.4862
1500 $0.3736343 $560.45145
2000 $0.3697824 $739.5648
2500 $0.3659305 $914.82625
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 44A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 23mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20.1 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1132 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount, Wettable Flank
pacote de dispositivo do fornecedor PowerDI5060-8 (Type UX)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

BUK9675-100A,118
IRF740APBF-BE3
IRF740APBF-BE3
$0 $/pedaço
HUF76423S3ST
SIA413DJ-T1-GE3
SIR402DP-T1-GE3
IXTH110N25T
IXTH110N25T
$0 $/pedaço
SI7465DP-T1-GE3
IRF8010STRLPBF

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