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SIR402DP-T1-GE3

SIR402DP-T1-GE3

SIR402DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

compliant

SIR402DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.96685 -
6,000 $0.93330 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1700 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 4.2W (Ta), 36W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IXTH110N25T
IXTH110N25T
$0 $/pedaço
SI7465DP-T1-GE3
IRF8010STRLPBF
IRFZ14STRLPBF
IRFZ14STRLPBF
$0 $/pedaço
PMV88ENEAR
PMV88ENEAR
$0 $/pedaço
MMDF3N02HDR2
MMDF3N02HDR2
$0 $/pedaço
FDC637BNZ
FDC637BNZ
$0 $/pedaço
SI4800BDY-T1-E3
FDMA410NZT
FDMA410NZT
$0 $/pedaço
IRFP4137PBF

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