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HUF76423S3ST

HUF76423S3ST

HUF76423S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

HUF76423S3ST Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
4000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 30mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1060 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 85W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AB
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIA413DJ-T1-GE3
SIR402DP-T1-GE3
IXTH110N25T
IXTH110N25T
$0 $/pedaço
SI7465DP-T1-GE3
IRF8010STRLPBF
IRFZ14STRLPBF
IRFZ14STRLPBF
$0 $/pedaço
PMV88ENEAR
PMV88ENEAR
$0 $/pedaço
MMDF3N02HDR2
MMDF3N02HDR2
$0 $/pedaço

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