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SSP1N60A

SSP1N60A

SSP1N60A

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

SSP1N60A Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.10000 $0.1
500 $0.099 $49.5
1000 $0.098 $98
1500 $0.097 $145.5
2000 $0.096 $192
2500 $0.095 $237.5
5115 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 190 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 34W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

BTS112A
BTS112A
$0 $/pedaço
DMP4065SQ-13
HUF75337P3
HUF75337P3
$0 $/pedaço
MTP8N50E
MTP8N50E
$0 $/pedaço
HUF75332S3ST
SQJ415EP-T1_GE3
SUP90100E-GE3
SUP90100E-GE3
$0 $/pedaço
NTP6412ANG
NTP6412ANG
$0 $/pedaço

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