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RFD14N06

RFD14N06

RFD14N06

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

RFD14N06 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.57000 $0.57
500 $0.5643 $282.15
1000 $0.5586 $558.6
1500 $0.5529 $829.35
2000 $0.5472 $1094.4
2500 $0.5415 $1353.75
3664 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 14A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 100mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 40 nC @ 20 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 570 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 48W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I-PAK
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

DMTH6012LPSWQ-13
NVMYS006N08LHTWG
NVMYS006N08LHTWG
$0 $/pedaço
FDC699P
FDC699P
$0 $/pedaço
MCU20N10-TP
MCU20N10-TP
$0 $/pedaço
DMT34M2LPS-13
RQ3E180BNTB1
RQ3E180BNTB1
$0 $/pedaço
APTM100UM65DAG
R6024KNXC7G
R6024KNXC7G
$0 $/pedaço

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