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DMTH6012LPSWQ-13

DMTH6012LPSWQ-13

DMTH6012LPSWQ-13

MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI

compliant

DMTH6012LPSWQ-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.30146 $0.30146
500 $0.2984454 $149.2227
1000 $0.2954308 $295.4308
1500 $0.2924162 $438.6243
2000 $0.2894016 $578.8032
2500 $0.286387 $715.9675
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11.5A (Ta), 50.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 14mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13.6 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 785 pF @ 30 V
característica fet Standard
dissipação de potência (máx.) 2.8W (Ta), 53.6W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerDI5060-8 (Type Q)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

NVMYS006N08LHTWG
NVMYS006N08LHTWG
$0 $/pedaço
FDC699P
FDC699P
$0 $/pedaço
MCU20N10-TP
MCU20N10-TP
$0 $/pedaço
DMT34M2LPS-13
RQ3E180BNTB1
RQ3E180BNTB1
$0 $/pedaço
APTM100UM65DAG
R6024KNXC7G
R6024KNXC7G
$0 $/pedaço
DMP1008UCB9-7

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