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RQ3E180BNTB1

RQ3E180BNTB1

RQ3E180BNTB1

NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:

não conforme

RQ3E180BNTB1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.68221 $0.68221
500 $0.6753879 $337.69395
1000 $0.6685658 $668.5658
1500 $0.6617437 $992.61555
2000 $0.6549216 $1309.8432
2500 $0.6480995 $1620.24875
3000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Ta), 39A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.9mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3500 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 20W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-HSMT (3.2x3)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

APTM100UM65DAG
R6024KNXC7G
R6024KNXC7G
$0 $/pedaço
DMP1008UCB9-7
MCAC38N10YHE3-TP
PXP6R1-30QLJ
PXP6R1-30QLJ
$0 $/pedaço
IXFL34N100
IXFL34N100
$0 $/pedaço
DMT10H032LFVW-13

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