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IRF730B

IRF730B

IRF730B

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF730B Ficha de dados

compliant

IRF730B Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
475473 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 400 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 73W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

DMN3010LSS-13
RQ6E050ATTCR
RQ6E050ATTCR
$0 $/pedaço
FCI25N60N
IXFN40N90P
IXFN40N90P
$0 $/pedaço
SPW12N50C3FKSA1
NDS355AN
NDS355AN
$0 $/pedaço
STD5P06VT4
STD5P06VT4
$0 $/pedaço
SISA72DN-T1-GE3

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