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IRF521

IRF521

IRF521

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF521 Ficha de dados

compliant

IRF521 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.57000 $0.57
500 $0.5643 $282.15
1000 $0.5586 $558.6
1500 $0.5529 $829.35
2000 $0.5472 $1094.4
2500 $0.5415 $1353.75
26458 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 270mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 350 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 60W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

UF3C170400K3S
UF3C170400K3S
$0 $/pedaço
HUFA75433S3ST
DMN3009SFG-7
3400L
3400L
$0 $/pedaço
NTH4L067N65S3H
NTH4L067N65S3H
$0 $/pedaço
SQJ138EP-T1_GE3
IRF730
IRF730
$0 $/pedaço
SQW33N65EF-GE3
SQW33N65EF-GE3
$0 $/pedaço
SIHU2N80AE-GE3
SIHU2N80AE-GE3
$0 $/pedaço

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