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SQW33N65EF-GE3

SQW33N65EF-GE3

SQW33N65EF-GE3

Vishay Siliconix

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

compliant

SQW33N65EF-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.49000 $6.49
500 $6.4251 $3212.55
1000 $6.3602 $6360.2
1500 $6.2953 $9442.95
2000 $6.2304 $12460.8
2500 $6.1655 $15413.75
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 34A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 109mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 173 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3972 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AD
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

SIHU2N80AE-GE3
SIHU2N80AE-GE3
$0 $/pedaço
RJK5030DPD-03#J2
RJK5030DPD-03#J2
$0 $/pedaço
R8002ANJGTL
R8002ANJGTL
$0 $/pedaço
SIHD14N60ET4-GE3
UJ4C075033K3S
UJ4C075033K3S
$0 $/pedaço
DMT2004UFG-13
NTTFS6H854NTAG
NTTFS6H854NTAG
$0 $/pedaço
DMN31D6UT-13

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