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SIHD14N60ET4-GE3

SIHD14N60ET4-GE3

SIHD14N60ET4-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

não conforme

SIHD14N60ET4-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.40000 $2.4
500 $2.376 $1188
1000 $2.352 $2352
1500 $2.328 $3492
2000 $2.304 $4608
2500 $2.28 $5700
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 13A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 309mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1205 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 147W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D-Pak
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

UJ4C075033K3S
UJ4C075033K3S
$0 $/pedaço
DMT2004UFG-13
NTTFS6H854NTAG
NTTFS6H854NTAG
$0 $/pedaço
DMN31D6UT-13
BUZ331
BUZ331
$0 $/pedaço
STL260N4LF7
STL260N4LF7
$0 $/pedaço
DMP21D0UFB4-7R
SIA465EDJ-T1-GE3

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