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SIA465EDJ-T1-GE3

SIA465EDJ-T1-GE3

SIA465EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

não conforme

SIA465EDJ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
6,000 $0.17628 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2130 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 19W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6 Single
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

APTM120UM70FAG
DMTH10H003SPSW-13
SIHB186N60EF-GE3
NVTFWS007N08HLTAG
NVTFWS007N08HLTAG
$0 $/pedaço
DMN67D8LV-7
DMN67D8LV-7
$0 $/pedaço
RJK6002DPH-E0#T2
RJK6002DPH-E0#T2
$0 $/pedaço
2SJ607-ZJ-AZ
2SJ607-ZJ-AZ
$0 $/pedaço
MCAC80P06Y-TP

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